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成都技术转移(集团)有限公司

项目名称

一种高压LDMOS器件

项目所属技术领域

 电子信息

研发项目所处阶段

 实验室研发阶段

合作方式

 技术转让 技术许可 技术服务

项目简介


项目方研发的是一种高压LDMOS器件,包括衬底、位于衬底之上的外延层,位于外延层之上的漂移区,位于LDMOS器件两端的漏区和源区,其特征在于,在衬底和外延层的交界面上紧贴漂移区的下表面具有交替排列的至少一对n型半导体区和p型半导体区,所述n型半导体区和p型半导体区紧贴排列相互形成横向的PN结,同时p型半导体区与漂移区形成纵向的PN结。

该发明中的n型半导体区和p型半导体区也被合称为体内降低表面电场(RESURF)层,这种具有体内降低表面电场层的LDMOS器件有效的解决了现有的LDMOS器件提高反向耐压和降低正向导通电阻的矛盾。项目成果目前处于实验室研究阶段,待成果成熟后即可全面推广。

联系人

路晶晶

联系电话

62037519

传真

62037533

E-MAIL

lujj@cttg.com.cn

通讯地址

成都市高新区交子大道177号中海国际中心B座1101

发布时间:2016-11-04

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